一、高流速，低壓力和清洗頻率
 

　　(1)清洗的流速
 

　　裝置運(yùn)行時(shí)，附著性高的粒子狀污染物逐漸堆積在膜表面。如果清洗時(shí)的流速與運(yùn)行時(shí)的流速相等或更低，則很難把這些污染物從膜元件中清洗出來(lái)。
 

　　(2)清洗壓力
 

　　正常高壓運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，壓力直接垂直作用膜面，使進(jìn)水透過(guò)膜面得到產(chǎn)水，同時(shí)污染物也被壓向膜面。所以在清洗時(shí)，如果采用同樣的高壓，則污染物被積壓在膜表面，清洗的效果就會(huì)降低。清洗時(shí)盡可能的通過(guò)低壓，高流速的方式，增加水平方向的剪斷力把污染物沖岀膜元件。
 

　　(3)清洗頻率條件允許的情況下，建議經(jīng)常對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行清洗。增加清洗的次數(shù)比延長(zhǎng)1次清洗的時(shí)間更為有效般清洗的頻率。
 

　　(3)化學(xué)清洗：主要是通過(guò)化學(xué)藥劑對(duì)濾膜進(jìn)行清洗，所以要選擇適宜的化學(xué)藥劑。
 

　　二、因素：
 

　　(1)首先要與設(shè)備制造商、R0膜元件廠(chǎng)商R0特用化學(xué)藥劑及服務(wù)人員取得聯(lián)系。確定主要的污染物，選擇合適的化學(xué)淸洗藥劑。
 

　　(2)有時(shí)針對(duì)某種特殊的污染物或污染狀況，要使用RO藥劑制造商的專(zhuān)用化學(xué)淸洗藥劑，并且在應(yīng)用時(shí)，要遵循藥劑供應(yīng)商提供的產(chǎn)品性能及使用說(shuō)明。
 

　　(3)特殊情況下可針對(duì)具體情況，從反滲透裝置取岀已發(fā)生污染的單支膜元件進(jìn)行測(cè)試和清洗試驗(yàn)，以確定合適的化學(xué)藥劑和清洗方案。
 

　　三、EDI模塊清洗操作步驟：
 

　　1.濃水室結(jié)垢清洗；
 

　　2.記錄清洗前所有數(shù)據(jù)；
 

　　3.分離EDI膜塊與其他設(shè)備的連接管路；
 

　　4.連接清洗裝置(見(jiàn)清洗流程圖)，使清洗泵通過(guò)濃水管路進(jìn)入EDI膜塊再回到清洗水箱，濃水進(jìn)、出水閥開(kāi)啟，關(guān)閉EDI淡水進(jìn)水閥和產(chǎn)水閥；
 

　　5.在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液；
 

　　6.啟動(dòng)清洗泵，調(diào)節(jié)濃水進(jìn)水閥，以規(guī)定的流量循環(huán)清洗(酸洗步驟)。(參見(jiàn)附表)停止清洗泵，排空清洗水箱清洗廢液，分離濃水排水閥至地溝；
 

　　7.向清洗水箱連續(xù)注入清水(RO產(chǎn)水)，啟動(dòng)清洗泵連續(xù)清洗(沖洗步驟)；
 

　　8.打開(kāi)EDI進(jìn)水閥和產(chǎn)水閥，同時(shí)對(duì)兩個(gè)水室進(jìn)行沖洗；
 

　　9.檢測(cè)濃水出水側(cè)的水質(zhì)，直至與進(jìn)水側(cè)電導(dǎo)率相近；
 

　　10.各個(gè)閥門(mén)，恢復(fù)原始各設(shè)計(jì)流量數(shù)據(jù)；
 

　　11.恢復(fù)EDI各個(gè)管路與其他系統(tǒng)的連接；
 

　　12.開(kāi)啟PLC控制柜電源，向EDI膜塊送電，轉(zhuǎn)入正常運(yùn)行，并作好初次運(yùn)行的數(shù)據(jù)記錄。